casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLP3034PBF
codice articolo del costruttore | IRLP3034PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRLP3034PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLP3034PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 195A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 195A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 162nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10315pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 341W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLP3034PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLP3034PBF-FT |
SPI80N06S2-07
Infineon Technologies
SPI80N06S2-08
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SPI80N06S2L-05
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SPI80N06S2L-11
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SPI80N08S2-07
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SPD50P03LGBTMA1
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ICE40UL640-SWG16ITR50
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A54SX16P-VQ100M
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EP3SL110F780I4
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