casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFP4227PBF
codice articolo del costruttore | IRFP4227PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFP4227PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFP4227PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 330W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP4227PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFP4227PBF-FT |
SPI80N06S2L-05
Infineon Technologies
SPI80N06S2L-11
Infineon Technologies
SPI80N08S2-07
Infineon Technologies
SPI80N08S2-07R
Infineon Technologies
SPI80N10L
Infineon Technologies
SPD100N03S2L-04
Infineon Technologies
SPD100N03S2L04T
Infineon Technologies
SPD50P03LGBTMA1
Infineon Technologies
SPD50P03LGXT
Infineon Technologies
IPD50P04P4L11ATMA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel