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Infineon Technologies IRFP4227PBF

Numero parte MFG
IRFP4227PBF
quantità disponibile
55970 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 3.952
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRFP4227PBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRFP4227PBF
Numero di parte futuro FT-IRFP4227PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFP4227PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFP4227PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFP4227PBF-FT

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