casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFP4229PBF
codice articolo del costruttore | IRFP4229PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFP4229PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFP4229PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4560pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP4229PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFP4229PBF-FT |
SPD100N03S2L04T
Infineon Technologies
SPD50P03LGBTMA1
Infineon Technologies
SPD50P03LGXT
Infineon Technologies
IPD50P04P4L11ATMA1
Infineon Technologies
SPD04N50C3ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S405ATMA1
Infineon Technologies
IPD70P04P409ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S404ATMA1
Infineon Technologies
IPD100N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel