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Infineon Technologies IRF200P223

Name: IRF200P223
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF200P223
Price: 8.624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (608 reviews)

Numero parte MFG: IRF200P223

quantità disponibile: 12760 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 8.624

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: StrongIRFET™ MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF200P223.pdf

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IRF200P223 specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF200P223
Numero di parte futuro	FT-IRF200P223
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	StrongIRFET™
IRF200P223 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	102nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5094pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	313W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AC
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF200P223 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF200P223-FT

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