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Infineon Technologies IRF100P218XKMA1

Name: IRF100P218XKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF100P218XKMA1
Price: 7.36 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (223 reviews)

Numero parte MFG: IRF100P218XKMA1

quantità disponibile: 64700 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 7.36

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: StrongIRFET™ TRENCHMOSFETS

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF100P218XKMA1.pdf

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IRF100P218XKMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF100P218XKMA1
Numero di parte futuro	FT-IRF100P218XKMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	StrongIRFET™
IRF100P218XKMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.28 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 278µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	555nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	25000pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	556W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AC
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF100P218XKMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF100P218XKMA1-FT

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