casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI50R140CP
codice articolo del costruttore | IPI50R140CP |
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Numero di parte futuro | FT-IPI50R140CP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPI50R140CP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 930µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2540pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 192W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI50R140CP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI50R140CP-FT |
BSB024N03LX G
Infineon Technologies
BSB044N08NN3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB053N03LP G
Infineon Technologies
BSB104N08NP3GXUSA1
Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB280N15NZ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF024N03LT3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF030NE2LQXUMA1
Infineon Technologies
BSF035NE2LQXUMA1
Infineon Technologies
BSF045N03MQ3 G
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel