casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSF024N03LT3GXUMA1
codice articolo del costruttore | BSF024N03LT3GXUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSF024N03LT3GXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSF024N03LT3GXUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 106A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacchetto / caso | 3-WDSON |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSF024N03LT3GXUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSF024N03LT3GXUMA1-FT |
IPL60R385CPAUMA1
Infineon Technologies
SPW20N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW47N60C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies
SPW21N50C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R070C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099CPFKSA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel