casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSB165N15NZ3GXUMA1
codice articolo del costruttore | BSB165N15NZ3GXUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSB165N15NZ3GXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSB165N15NZ3GXUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 45A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacchetto / caso | 3-WDSON |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB165N15NZ3GXUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSB165N15NZ3GXUMA1-FT |
IPL60R199CPAUMA1
Infineon Technologies
IPL60R299CPAUMA1
Infineon Technologies
IPL60R385CPAUMA1
Infineon Technologies
SPW20N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW47N60C3FKSA1
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IPW60R125C6FKSA1
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IPW60R037P7XKSA1
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IPW60R190E6FKSA1
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SPW21N50C3FKSA1
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IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel