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Infineon Technologies BSB044N08NN3GXUMA1

Name: BSB044N08NN3GXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB044N08NN3GXUMA1
Price: 1.170216 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (574 reviews)

Numero parte MFG: BSB044N08NN3GXUMA1

quantità disponibile: 79860 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.170216

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSB044N08NN3GXUMA1.pdf

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BSB044N08NN3GXUMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSB044N08NN3GXUMA1
Numero di parte futuro	FT-BSB044N08NN3GXUMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSB044N08NN3GXUMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Ta), 90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 97µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5700pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.2W (Ta), 78W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / caso	3-WDSON
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB044N08NN3GXUMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSB044N08NN3GXUMA1-FT

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