casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSF035NE2LQXUMA1
codice articolo del costruttore | BSF035NE2LQXUMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BSF035NE2LQXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSF035NE2LQXUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 69A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1862pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacchetto / caso | 3-WDSON |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSF035NE2LQXUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSF035NE2LQXUMA1-FT |
SPW47N60C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies
SPW21N50C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R070C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R190C6FKSA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel