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Infineon Technologies BSB104N08NP3GXUSA1

Name: BSB104N08NP3GXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB104N08NP3GXUSA1
Price: 0.5268 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (638 reviews)

Numero parte MFG: BSB104N08NP3GXUSA1

quantità disponibile: 48060 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.5268

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSB104N08NP3GXUSA1.pdf

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BSB104N08NP3GXUSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSB104N08NP3GXUSA1
Numero di parte futuro	FT-BSB104N08NP3GXUSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSB104N08NP3GXUSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / caso	3-WDSON
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB104N08NP3GXUSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSB104N08NP3GXUSA1-FT

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