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codice articolo del costruttore | IPI22N03S4L15AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI22N03S4L15AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI22N03S4L15AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 980pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI22N03S4L15AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI22N03S4L15AKSA1-FT |
SPW47N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW47N65C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW52N50C3FKSA1
Infineon Technologies
BTS244ZNKSA1
Infineon Technologies
BTS247ZAKSA1
Infineon Technologies
BSB056N10NN3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB013NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies
BSB014N04LX3GXUMA1
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BSB028N06NN3GXUMA1
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BSB008NE2LXXUMA1
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