casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI16CNE8N G
codice articolo del costruttore | IPI16CNE8N G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPI16CNE8N G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI16CNE8N G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 53A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI16CNE8N G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI16CNE8N G-FT |
SPW24N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW32N50C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW35N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW35N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW47N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW47N65C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW52N50C3FKSA1
Infineon Technologies
BTS244ZNKSA1
Infineon Technologies
BTS247ZAKSA1
Infineon Technologies
BSB056N10NN3GXUMA1
Infineon Technologies
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation