casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI100N06S3-03
codice articolo del costruttore | IPI100N06S3-03 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI100N06S3-03 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI100N06S3-03 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 480nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 21620pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI100N06S3-03 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI100N06S3-03-FT |
IPW65R310CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R420CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R660CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW90R120C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R1K0C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R1K2C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R340C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R500C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW07N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel