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codice articolo del costruttore | IPW65R310CFDFKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW65R310CFDFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW65R310CFDFKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 440µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104.2W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R310CFDFKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW65R310CFDFKSA1-FT |
IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel