casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW90R340C3FKSA1
codice articolo del costruttore | IPW90R340C3FKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPW90R340C3FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW90R340C3FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 9.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW90R340C3FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW90R340C3FKSA1-FT |
IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel