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Infineon Technologies IPW65R660CFDFKSA1

Numero parte MFG
IPW65R660CFDFKSA1
quantità disponibile
14790 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolMOS™ MOSFET N-CH 700V 6A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IPW65R660CFDFKSA1
Numero di parte futuro FT-IPW65R660CFDFKSA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™
IPW65R660CFDFKSA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 615pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW65R660CFDFKSA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPW65R660CFDFKSA1-FT

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