casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW80R280P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPW80R280P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW80R280P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW80R280P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 7.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 360µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 500V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 101W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3-41 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW80R280P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW80R280P7XKSA1-FT |
IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R900P7ATMA1
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IPD95R1K2P7ATMA1
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IPD60R180P7ATMA1
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IPD60R180P7SAUMA1
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IPD60R280P7ATMA1
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IPD60R280P7SAUMA1
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IPD60R360P7ATMA1
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IPD60R360P7SAUMA1
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