casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW65R420CFDFKSA1
codice articolo del costruttore | IPW65R420CFDFKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW65R420CFDFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW65R420CFDFKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 340µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R420CFDFKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW65R420CFDFKSA1-FT |
IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel