casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI100N04S4H2AKSA1
codice articolo del costruttore | IPI100N04S4H2AKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPI100N04S4H2AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI100N04S4H2AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7180pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI100N04S4H2AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI100N04S4H2AKSA1-FT |
IPW65R280E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R310CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R420CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R660CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW90R120C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R1K0C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R1K2C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R340C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R500C3FKSA1
Infineon Technologies