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Infineon Technologies IPI076N12N3GAKSA1
- Numero parte MFG
- IPI076N12N3GAKSA1
- quantità disponibile
- 30950 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 1.476
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IPI076N12N3GAKSA1.pdf
IPI076N12N3GAKSA1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | IPI076N12N3GAKSA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IPI076N12N3GAKSA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | OptiMOS™ |
| IPI076N12N3GAKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 101nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6640pF @ 60V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPI076N12N3GAKSA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IPI076N12N3GAKSA1-FT |
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