casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW65R190E6FKSA1
codice articolo del costruttore | IPW65R190E6FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW65R190E6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW65R190E6FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 151W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R190E6FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW65R190E6FKSA1-FT |
IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R120P7XKSA1
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IPP60R280P7XKSA1
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IPP60R360P7XKSA1
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IPD80R2K0P7ATMA1
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IPD80R600P7ATMA1
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IPD80R900P7ATMA1
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IPD95R1K2P7ATMA1
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