casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HERA807G C0G
codice articolo del costruttore | HERA807G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HERA807G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HERA807G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERA807G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HERA807G C0G-FT |
SFA1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA802GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel