casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HERA807G C0G
codice articolo del costruttore | HERA807G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HERA807G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HERA807G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERA807G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HERA807G C0G-FT |
SFA1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA802GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel