casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA1006GHC0G
codice articolo del costruttore | SFA1006GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA1006GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFA1006GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA1006GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA1006GHC0G-FT |
CUS10F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS551V30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS521,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS05F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF05S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF07S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS05F30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel