casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA1007G C0G
codice articolo del costruttore | SFA1007G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA1007G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SFA1007G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 500V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA1007G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA1007G C0G-FT |
CUS551V30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS521,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS05F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF05S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF07S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS05F30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel