casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA801G C0G
codice articolo del costruttore | SFA801G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA801G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SFA801G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA801G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA801G C0G-FT |
CUS05F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF05S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF07S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS05F30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS05F30(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH05A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS520,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel