casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA802GHC0G
codice articolo del costruttore | SFA802GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA802GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFA802GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA802GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA802GHC0G-FT |
CBS05F30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS05F30(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH05A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS520,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS05S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel