casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA801GHC0G
codice articolo del costruttore | SFA801GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA801GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFA801GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA801GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA801GHC0G-FT |
DSF05S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF07S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS05F30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS05F30(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH05A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS520,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel