casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA801GHC0G
codice articolo del costruttore | SFA801GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA801GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFA801GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA801GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA801GHC0G-FT |
DSF05S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF07S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS05F30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CBS05F30(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH05A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS520,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel