casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HERA806G C0G
codice articolo del costruttore | HERA806G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HERA806G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HERA806G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERA806G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HERA806G C0G-FT |
SFA1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA802GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel