casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H812K1DYA
codice articolo del costruttore | H812K1DYA |
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Numero di parte futuro | FT-H812K1DYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H812K1DYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.1 kOhms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812K1DYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H812K1DYA-FT |
H8110RDYA
TE Connectivity Passive Product
H8110RDZA
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H8110RFCA
TE Connectivity Passive Product
H8110RFDA
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H8113KBYA
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H8113RBCA
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H8113RBDA
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H8113RBYA
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XC3S250E-4FTG256I
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K130EBC600-1
Intel
5SGXMA5K2F35C2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
5SGSMD4H2F35C2LN
Intel