casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8110RFDA
codice articolo del costruttore | H8110RFDA |
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Numero di parte futuro | FT-H8110RFDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8110RFDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 110 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8110RFDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8110RFDA-FT |
H4P90R9DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P910KFZA
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H4P91RFCA
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H4P953KDCA
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H4P953KDZA
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H4P95R3DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P95R3DZA
TE Connectivity Passive Product
LFEC1E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005XL-1VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S15-2FTGB196C
Xilinx Inc.
APA300-BGG456
Microsemi Corporation
XC7VX690T-2FFG1761I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FF484I
Xilinx Inc.
EP2SGX130GF1508C5N
Intel
EP2SGX30DF780C3
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
EP20K400CB652C8
Intel