casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8110RFZA
codice articolo del costruttore | H8110RFZA |
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Numero di parte futuro | FT-H8110RFZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8110RFZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 110 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8110RFZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8110RFZA-FT |
H4P910KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P91RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P91RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P953KDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P953KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P95R3DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P95R3DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P9K09DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P9K09DZA
TE Connectivity Passive Product
XC3S200A-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
5SGXMA3K3F35I4N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
EP1K50QC208-2N
Intel