casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8110RDZA
codice articolo del costruttore | H8110RDZA |
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Numero di parte futuro | FT-H8110RDZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8110RDZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 110 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8110RDZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8110RDZA-FT |
H4P909KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P90K9DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P90R9DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P910KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P91RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P91RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P953KDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P953KDZA
TE Connectivity Passive Product
EP1K50TC144-1
Intel
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
AX250-1FG256
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
AGL125V2-FG144T
Microsemi Corporation
10AX032E2F27I1SG
Intel