casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8110RDYA
codice articolo del costruttore | H8110RDYA |
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Numero di parte futuro | FT-H8110RDYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8110RDYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 110 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8110RDYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8110RDYA-FT |
H4P8K66DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P909KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P90K9DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P90R9DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P910KFZA
TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
H4P91RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P953KDCA
TE Connectivity Passive Product
ICE40LM2K-SWG25TR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I8LN
Intel
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5SGXEB9R2H43I2N
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5SGXEB6R2F43I2L
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I5
Intel
EP1C20F400I7N
Intel
EPF10K100ABC356-2N
Intel