casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8113RBYA
codice articolo del costruttore | H8113RBYA |
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Numero di parte futuro | FT-H8113RBYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8113RBYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 113 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8113RBYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8113RBYA-FT |
H4P953KDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P953KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P95R3DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P95R3DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P9K09DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P9K09DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P9K1FCA
TE Connectivity Passive Product
H4P9K1FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P9K53DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P9K53DZA
TE Connectivity Passive Product
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100
Microsemi Corporation
A1440A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA4K2F35C2N
Intel
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
LFXP20E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1020I6N
Intel