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GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263

Name: GA10SICP12-263
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA10SICP12-263
Price: 22.33392 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (143 reviews)

Numero parte MFG: GA10SICP12-263

quantità disponibile: 41370 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 22.33392

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fabbricante: GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione: - TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: GA10SICP12-263.pdf

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GA10SICP12-263 specificazioni

codice articolo del costruttore	GA10SICP12-263
Numero di parte futuro	FT-GA10SICP12-263
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
GA10SICP12-263 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1403pF @ 800V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	170W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK (7-Lead)
Pacchetto / caso	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA10SICP12-263 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	GA10SICP12-263-FT

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