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GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263

Numero parte MFG
GA10SICP12-263
quantità disponibile
41370 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 22.33392
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fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
- TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore GA10SICP12-263
Numero di parte futuro FT-GA10SICP12-263
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GA10SICP12-263 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1403pF @ 800V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead)
Pacchetto / caso TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA10SICP12-263 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio GA10SICP12-263-FT

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