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Infineon Technologies IPT020N10N3ATMA1

Name: IPT020N10N3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT020N10N3ATMA1
Price: 3.199312 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (662 reviews)

Numero parte MFG: IPT020N10N3ATMA1

quantità disponibile: 70700 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 3.199312

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPT020N10N3ATMA1.pdf

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IPT020N10N3ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPT020N10N3ATMA1
Numero di parte futuro	FT-IPT020N10N3ATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPT020N10N3ATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	300A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 272µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	156nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11200pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-HSOF-8-1
Pacchetto / caso	8-PowerSFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT020N10N3ATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPT020N10N3ATMA1-FT

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