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Infineon Technologies IPT020N10N3ATMA1

Numero parte MFG
IPT020N10N3ATMA1
quantità disponibile
70700 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 3.199312
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPT020N10N3ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore IPT020N10N3ATMA1
Numero di parte futuro FT-IPT020N10N3ATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPT020N10N3ATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 272µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11200pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-HSOF-8-1
Pacchetto / caso 8-PowerSFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT020N10N3ATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPT020N10N3ATMA1-FT

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