casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IAUT300N08S5N014ATMA1
codice articolo del costruttore | IAUT300N08S5N014ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IAUT300N08S5N014ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™-5 |
IAUT300N08S5N014ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300A (DC) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 230µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13178pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOF-8-1 |
Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IAUT300N08S5N014ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IAUT300N08S5N014ATMA1-FT |
IPI65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R600C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI70N04S307AKSA1
Infineon Technologies
IPI70N04S406AKSA1
Infineon Technologies
IPI70N10S312AKSA1
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel