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Infineon Technologies IPLU300N04S4R7XTMA2

Numero parte MFG
IPLU300N04S4R7XTMA2
quantità disponibile
87780 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 8HSOF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPLU300N04S4R7XTMA2 specificazioni

codice articolo del costruttore IPLU300N04S4R7XTMA2
Numero di parte futuro FT-IPLU300N04S4R7XTMA2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPLU300N04S4R7XTMA2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.76 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 287nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22945pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 429W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-HSOF-8-1
Pacchetto / caso 8-PowerSFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPLU300N04S4R7XTMA2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPLU300N04S4R7XTMA2-FT

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