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Infineon Technologies IPT111N20NFDATMA1

Name: IPT111N20NFDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT111N20NFDATMA1
Price: 3.338992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (673 reviews)

Numero parte MFG: IPT111N20NFDATMA1

quantità disponibile: 47540 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 3.338992

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPT111N20NFDATMA1.pdf

IPT111N20NFDATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPT111N20NFDATMA1
Numero di parte futuro	FT-IPT111N20NFDATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPT111N20NFDATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	96A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.1 mOhm @ 96A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 267µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7000pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-HSOF-8-1
Pacchetto / caso	8-PowerSFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT111N20NFDATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPT111N20NFDATMA1-FT

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