casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPT007N06NATMA1
codice articolo del costruttore | IPT007N06NATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPT007N06NATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPT007N06NATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.75 mOhm @ 150A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 280µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 287nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 16000pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOF-8-1 |
Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPT007N06NATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPT007N06NATMA1-FT |
IPI65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R600C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI70N04S307AKSA1
Infineon Technologies
IPI70N04S406AKSA1
Infineon Technologies
IPI70N10S312AKSA1
Infineon Technologies
IPI70N10S3L12AKSA1
Infineon Technologies
IPI70N10SL16AKSA1
Infineon Technologies
IPI77N06S3-09
Infineon Technologies
IPI80CN10N G
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel