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ON Semiconductor FQE10N20LCTU

Name: FQE10N20LCTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQE10N20LCTU
Availability: InStock
Rating: 4.8 (635 reviews)

Numero parte MFG: FQE10N20LCTU

quantità disponibile: 81450 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: QFET® MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FQE10N20LCTU.pdf

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FQE10N20LCTU specificazioni

codice articolo del costruttore	FQE10N20LCTU
Numero di parte futuro	FT-FQE10N20LCTU
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQE10N20LCTU Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	12.8W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-126-3
Pacchetto / caso	TO-225AA, TO-126-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQE10N20LCTU Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FQE10N20LCTU-FT

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