casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQNL2N50BBU
codice articolo del costruttore | FQNL2N50BBU |
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Numero di parte futuro | FT-FQNL2N50BBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQNL2N50BBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 Ohm @ 175mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQNL2N50BBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQNL2N50BBU-FT |
IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R070P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R099P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R125P6FKSA1
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel