casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQNL2N50BTA
codice articolo del costruttore | FQNL2N50BTA |
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Numero di parte futuro | FT-FQNL2N50BTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQNL2N50BTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 Ohm @ 175mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQNL2N50BTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQNL2N50BTA-FT |
IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.