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GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA

Name: 2N7635-GA
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 2N7635-GA
Availability: InStock
Rating: 5.0 (306 reviews)

Numero parte MFG: 2N7635-GA

quantità disponibile: 28360 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione: - TRANS SJT 650V 4A TO-257

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: 2N7635-GA.pdf

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2N7635-GA specificazioni

codice articolo del costruttore	2N7635-GA
Numero di parte futuro	FT-2N7635-GA
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
2N7635-GA Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc) (165°C)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	324pF @ 35V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	47W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-257
Pacchetto / caso	TO-257-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N7635-GA Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	2N7635-GA-FT

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