casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2N7637-GA
codice articolo del costruttore | 2N7637-GA |
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Numero di parte futuro | FT-2N7637-GA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N7637-GA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) (165°C) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 7A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 35V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-257 |
Pacchetto / caso | TO-257-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7637-GA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N7637-GA-FT |
IPT111N20NFDATMA1
Infineon Technologies
IPZA60R120P7XKSA1
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IPZA60R080P7XKSA1
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XC2VP2-6FFG672C
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LCMXO640E-3MN100C
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