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ON Semiconductor FQNL1N50BBU

Name: FQNL1N50BBU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQNL1N50BBU
Availability: InStock
Rating: 4.6 (159 reviews)

Numero parte MFG: FQNL1N50BBU

quantità disponibile: 70090 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: QFET® MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FQNL1N50BBU.pdf

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FQNL1N50BBU specificazioni

codice articolo del costruttore	FQNL1N50BBU
Numero di parte futuro	FT-FQNL1N50BBU
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQNL1N50BBU Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	270mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 135mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQNL1N50BBU Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FQNL1N50BBU-FT

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