casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMC15N06
codice articolo del costruttore | FDMC15N06 |
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Numero di parte futuro | FT-FDMC15N06 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDMC15N06 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta), 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC15N06 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMC15N06-FT |
FQI1P50TU
ON Semiconductor
FQI27N25TU
ON Semiconductor
FQI27N25TU-F085
ON Semiconductor
FQI27P06TU
ON Semiconductor
FQI2N30TU
ON Semiconductor
FQI2N80TU
ON Semiconductor
FQI2N90TU
ON Semiconductor
FQI2NA90TU
ON Semiconductor
FQI2P25TU
ON Semiconductor
FQI32N12V2TU
ON Semiconductor
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-7000HE-4BG332C
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Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
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EPF10K20RC240-3N
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EP20K1000EFC33-3
Intel