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ON Semiconductor FQI32N12V2TU

Numero parte MFG
FQI32N12V2TU
quantità disponibile
37840 pezzi
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
QFET® MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore FQI32N12V2TU
Numero di parte futuro FT-FQI32N12V2TU
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQI32N12V2TU Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 150W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI32N12V2TU Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FQI32N12V2TU-FT

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