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ON Semiconductor FQI2N90TU

Numero parte MFG
FQI2N90TU
quantità disponibile
60890 pezzi
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
QFET® MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-FQI2N90TU
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQI2N90TU Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 85W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI2N90TU Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FQI2N90TU-FT

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